Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/343539| Заглавие документа: | Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы |
| Другое заглавие: | Semiconductor diode with hopping migration of electrons via point defects of crystalline matrix / N. A. Poklonski, A. I. Kovalev, S. A. Vyrko, A. T. Vlassov |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Ковалев, А. И. Вырко, С. А. Власов, А. Т. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0799-6950 0000-0002-1145-1099 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | РУП "Издательский дом «Белорусская наука»" |
| Библиографическое описание источника: | Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2017. – Т. 61, № 3. – С. 30–37. |
| Аннотация: | Впервые рассматривается полупроводниковый p+n+-диод, полностью компенсированный точечными радиационными дефектами (rt-дефектами) одного сорта в трех зарядовых состояниях (-1, 0, +1 в единицах элементарного заряда) на фоне кристаллической матрицы. Каждый rt-дефект вносит два уровня энергии в запрещенную энергетическую зону полупроводника. Такой диод, в котором отсутствуют и электроны в зоне проводимости, и дырки в валентной зоне, называется ζ-диодом. Перенос зарядов в ζ-диоде осуществляется только посредством прыжков электронов между rt-дефектами. В дрейфово-диффузионном приближении численно решена система нелинейных дифференциальных уравнений, описывающая прыжковую миграцию электронов по rt-дефектам. Рассчитаны распределение электрического потенциала и зарядовых состояний дефектов вдоль ζ-диода, а также его статическая вольт-амперная характеристика для температуры 78 К. Показана возможность выпрямления прыжкового тока в ζ-диоде на основе кристаллического кремния, частично разупорядоченного точечными радиационными дефектами. |
| Аннотация (на другом языке): | For the first time, a semiconductor p+n+-diode is considered, which is completely compensated with the point irradiation-induced defects (rt-defects) of one kind in three charge states (−1, 0, +1 in elementary charge units) on the background of the crystalline matrix. Each rt-defect introduces two energy levels into the semiconductor band gap. Such a diode, in which electrons in the conduction band and holes in the valence band are absent, is called a ζ-diode. The charge transport in the ζ-diode is performed by electron hopping via rt-defects only. In the drift-diffusion approximation, a system of nonlinear differential equations, which describes the hopping migration of electrons via rt-defects, is solved numerically. The distribution of the electric potential and the charge states along the ζ-diode, as well as its static current-voltage characteristics are calculated for a temperature of 78 K. The possibility of hopping current rectification in the ζ-diode based on crystalline silicon, partially disordered by the point irradiation-induced defects, is shown. |
| URI документа: | https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/419 https://elib.bsu.by/handle/123456789/343539 |
| ISSN: | 1561–8323 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках программы Республики Беларусь «Маттех». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| DNANB30-37.pdf | 563,38 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.