Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/343538| Заглавие документа: | Низкочастотная электроемкость полупроводникового диода с прыжковой электропроводностью по трехзарядным дефектам |
| Другое заглавие: | Low-frequency electrical capacitance of semiconductor diode with hopping conductivity via triple-charged defects / N. A. Poklonski, A. I. Kovalev, S. A. Vyrko |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Ковалев, А. И. Вырко, С. А. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0799-6950 0000-0002-1145-1099 |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | РУП "Издательский дом «Белорусская наука»" |
| Библиографическое описание источника: | Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2017. – Т. 61, № 4. – С. 52–59. |
| Аннотация: | Впервые теоретически рассчитана емкость полупроводникового p+n+-диода, в котором и p+-область, и n+-область полностью компенсированы точечными радиационными дефектами (rt-дефектами) одного вида. Каждый rt-дефект вносит два уровня энергии в энергетическую щель (запрещенную зону) кристаллической матрицы и может находиться в одном из трех зарядовых состояний (−1, 0, +1). Такой диод, в котором отсутствуют и электроны в c-зоне, и дырки в v-зоне, называется ζ-диодом. Ток в ζ-диоде осуществляется только посредством прыжков электро-нов между rt-дефектами. В дрейфово-диффузионном приближении численно решена система стационарных нелинейных дифференциальных уравнений, описывающая прыжковую миграцию электронов по rt-дефектам. Рассчитаны статические вольт-фарадные характеристики ζ-диода на основе кристаллического кремния для интервала рабочих температур от 78 до 373 К. Отмечена возможность использования ζ-диодов в качестве радиационно-стойких варикапов, работающих при низких (криогенных) температурах. |
| Аннотация (на другом языке): | For the first time the capacitance of a semiconductor p+n+-diode is theoretically calculated, in which both the p+-region and the n+-region are completely compensated with point irradiation-induced defects (rt-defects) of one kind. Each rt-defect introduces two energy levels into a band gap of crystalline host matrix and can be one of three charge states (−1, 0, +1). Such a diode, in which both electrons in the conduction band and holes in the valence band are absent, is called a ζ-diode. The ζ-diode current is performed by electron hopping via rt-defects only. In the drift-diffusion approximation, a system of stationary nonlinear differential equations for hopping migration of electrons via rt-defects is numerically solved. The static capacitance-voltage characteristics of the ζ-diode based on crystalline silicon are calculated for the operating temperature ranging from 78 to 373 K. It is shown that the ζ-diode can be used as radiation-resistant varicaps operating at low (cryogenic) temperatures. |
| URI документа: | https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/440 https://elib.bsu.by/handle/123456789/343538 |
| ISSN: | 1561-8323 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках программы Республики Беларусь «Маттех». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| DNANB52-59.pdf | 505,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.