Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/343534
Заглавие документа: Radiative decay of a trion in a quantum well of a semiconductor heterostructure
Другое заглавие: Излучательный распад триона в квантовой яме полупроводниковой гетероструктуры / Н.А. Поклонский, А.Н. Деревяго, С.А. Вырко, А.И. Сягло
Авторы: Poklonski, N. A.
Dzeraviaha, A. N.
Vyrko, S. A.
Siahlo, A. I.
Цифровой идентификатор автора ORCID: 0000-0002-0799-6950
0000-0002-1145-1099
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2017
Издатель: Springer Science+Business Media
Библиографическое описание источника: J. Appl. Spectrosc. – 2017. – Vol. 84, № 4. – P. 611–619. [Журн. прикл. спектроск. – 2017. – Т. 84, № 4. – С. 586–594.]
Аннотация: A quasi-classical model for the decay of a negative trion (exciton + electron) in a single crystalline quantum well (QW) into a c-band electron and the exciton followed by recombination of the electron and hole constituting the exciton was developed. It was shown that the trion binding energy increased if the QW quantum-sized energy levels were populated by electrons from a semiconductor matrix selectively doped with donors. Calculations established that the trion emission line width was slightly larger than that for a single exciton. The results as a whole agreed with known experimental data on the low-temperature radiative decay of trions in a QW. It was pointed out that the population of the trion quantum-sized energy levels could be changed by the application an external longitudinal (along the QW) electric field. A scheme for a stationary light-emitting device based on radiative transitions of trions (not leading to their decay) between quantum-sized energy levels was proposed.
Аннотация (на другом языке): Развита квазиклассическая модель распада отрицательного триона (экситон + электрон) в одиночной кристаллической квантовой яме (КЯ) на электрон в зоне проводимости (c-зоне) и экситон с последующей рекомбинацией составляющих этот экситон электрона и дырки. Показано, что при заполнении квантоворазмерных уровней энергии КЯ электронами из селективно легированной донорами полупроводниковой матрицы энергия связи триона увеличивается. Расчетным путем установлено, что ширина линии излучения триона при его распаде немного больше ширины линии излучения одиночного экситона. Полученные результаты в целом согласуются с известными экспериментальными данными по низкотемпературному излучательному распаду трионов в КЯ. Указано на возможность изменения заполнения трионами их квантоворазмерных уровней энергии под действием внешнего продольного (вдоль КЯ) электрического поля. Предложена схема стационарной светоизлучающей приборной структуры на излучательных переходах трионов (не приводящих к их распаду) между квантоворазмерными уровнями энергии.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/343534
ISSN: 0021-9037
0514-7506
DOI документа: 10.1007/s10812-017-0518-z
Финансовая поддержка: The work was sponsored by the Convergence Scientific Research Program of the Republic of Belarus. Работа поддержана программой научных исследований Республики Беларусь “Конвергенция”.
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
JAS611-619.pdf324,96 kBAdobe PDFОткрыть
ZhPS586-594.pdf358,47 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.