Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов бора и фосфора при повышенной плотности ионного тока

Abstract

Методами атомно-силовой микроскопии, измерения удельного сопротивления и спектров отражения показано, что ионная имплантация P+ и B+ с энергией 60 кэВ при плотности ионного тока 10 мкA/cм^2 приводит к изменению шероховатости пленок фоторезиста ФП9120 на кремниевой подложке с 0,24 нм для исходного образца до 0,14 нм и 0,16 нм для образцов, имплантированных ионами P+ и B+ соответственно при дозе имплантации 6·1014 cм^-2. Это обусловлено релаксацией напряжений вследствие разогрева приповерхностного слоя резиста. Установлено, что при имплантация ионами B+ и P+ имеет место уменьшение показателя преломления фоторезиста, обусловленное радиационным сшиванием и газовыделением. Наблюдалось увеличение электропроводности приповерхностного слоя фоторезиста вследствие его карбонизации и образования мощной системы сопряженных кратных связей.