Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342233| Заглавие документа: | Mechanism of the Adhesive Interaction of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films with Monocrystalline Silicon |
| Авторы: | Brinkevich, S.D. Grinyuk, E.V. Brinkevich, D.I. Sverdlov, R.L. Prosolovich, V.S. Pyatlitski, A.N. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0003-1661-5272 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Springer Nature |
| Библиографическое описание источника: | Journal of Applied Spectroscopy. – 2020. – Vol. 87, No. 4. – P. 647-651. |
| Аннотация: | Fourier-transform infra-red spectroscopy with frustrated total internal reflection was used to study radiation-induced processes upon the implantation of boron and phosphorus ions into positive FP9120 diazoquinone-novolac photoresist films on silicon. Strengthening of the photoresist adhesion to monocrystalline silicon was found to be caused by the formation of ester linkages between hydroxyl groups on the surface of the silicon wafer oxide layer and carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342233 |
| DOI документа: | 10.1007/s10812-020-01049-4 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| s10812-020-01049-4-1.pdf | 555,46 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.