Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709| Title: | Моделирование эффекта ослабления паразитного туннелировавания электронов в элементах флеш-памяти с глубоким стоком |
| Other Titles: | Simulation of supression of electron parasitic tunneling in flash-memory cells with deep drain / O. G. Zhevnyak |
| Authors: | Жевняк, О. Г. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 266-269. |
| Abstract: | На основе моделирования методом Монте Карло рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока электронов вдоль проводящего канала элементов флеш-памяти для МОП-транзисторов с плавающим затвором с разной глубиной залегания стока. Показано, что для глубоких 100 нм стоков по сравнению с мелкими 10 нм стоками отношение этой величины к величине тока стока уменьшается в полтора-два раза. Это обусловлено резким уменьшением концентрации электронов у границы Si/SiO2, в транзисторах с глубоким стоком |
| Abstract (in another language): | By Monte Carlo simulation the dependencies of parasitic electron tunneling current value along the channel in flash-memory cells on basis of short channel MOSFET with floating gate as well as drain with various depth are calculated. It is shown that the value of parasitic tunnel current in transistor with deep drain decreases by 2 times in comparison with one having shallow drain. It is connected with the significant decreasing of electron concentration at the surface region of flash-memory cell for transistors with deep drain |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 266-269.pdf | 1,52 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.