Моделирование эффекта ослабления паразитного туннелировавания электронов в элементах флеш-памяти с глубоким стоком

Жевняк, О. Г.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Жевняк, О. Г.
dc.date.accessioned	2025-11-26T12:42:57Z	-
dc.date.available	2025-11-26T12:42:57Z	-
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 266-269.
dc.identifier.isbn	978-985-881-861-6
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709	-
dc.description.abstract	На основе моделирования методом Монте Карло рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока электронов вдоль проводящего канала элементов флеш-памяти для МОП-транзисторов с плавающим затвором с разной глубиной залегания стока. Показано, что для глубоких 100 нм стоков по сравнению с мелкими 10 нм стоками отношение этой величины к величине тока стока уменьшается в полтора-два раза. Это обусловлено резким уменьшением концентрации электронов у границы Si/SiO2, в транзисторах с глубоким стоком
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.title	Моделирование эффекта ослабления паразитного туннелировавания электронов в элементах флеш-памяти с глубоким стоком
dc.title.alternative	Simulation of supression of electron parasitic tunneling in flash-memory cells with deep drain / O. G. Zhevnyak
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	By Monte Carlo simulation the dependencies of parasitic electron tunneling current value along the channel in flash-memory cells on basis of short channel MOSFET with floating gate as well as drain with various depth are calculated. It is shown that the value of parasitic tunnel current in transistor with deep drain decreases by 2 times in comparison with one having shallow drain. It is connected with the significant decreasing of electron concentration at the surface region of flash-memory cell for transistors with deep drain
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
266-269.pdf		1,52 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar