Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709| Заглавие документа: | Моделирование эффекта ослабления паразитного туннелировавания электронов в элементах флеш-памяти с глубоким стоком |
| Другое заглавие: | Simulation of supression of electron parasitic tunneling in flash-memory cells with deep drain / O. G. Zhevnyak |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 266-269. |
| Аннотация: | На основе моделирования методом Монте Карло рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока электронов вдоль проводящего канала элементов флеш-памяти для МОП-транзисторов с плавающим затвором с разной глубиной залегания стока. Показано, что для глубоких 100 нм стоков по сравнению с мелкими 10 нм стоками отношение этой величины к величине тока стока уменьшается в полтора-два раза. Это обусловлено резким уменьшением концентрации электронов у границы Si/SiO2, в транзисторах с глубоким стоком |
| Аннотация (на другом языке): | By Monte Carlo simulation the dependencies of parasitic electron tunneling current value along the channel in flash-memory cells on basis of short channel MOSFET with floating gate as well as drain with various depth are calculated. It is shown that the value of parasitic tunnel current in transistor with deep drain decreases by 2 times in comparison with one having shallow drain. It is connected with the significant decreasing of electron concentration at the surface region of flash-memory cell for transistors with deep drain |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337709 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 266-269.pdf | 1,52 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.