Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329615| Title: | Исследование влияния имплантации Ge+ на оптические характеристики светоизлучающих наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge |
| Other Titles: | Study of the influence of Ge+ implantation on optical characteristics of Ge/Si light-emissing nanostructures with Ge quantum dots / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, I. D. Myalik, V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii |
| Authors: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Бородавченко, О. М. Мялик, И. Д. Зиновьев, В. А. Зиновьева, А. Ф. Смагина, Ж. В. Двуреченский, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 430-434. |
| Abstract: | На основании температурной зависимости спектров фотолюминесценции в диапазоне ~ 5–300 K проведен сравнительный анализ люминесцентных характеристик наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, созданными в процессе эпитаксиального роста с применением имплантации ионов Ge + и без нее. Установлены основные механизмы рекомбинации и определены значения энергии активации электронных состояний, участвующих в оптических переходах |
| Abstract (in another language): | Based on the temperature dependence of the photoluminescence spectra in the range of ~ 5–300 K a comparative analysis of the luminescent characteristics of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots created using Ge+ ion implantation during epitaxial growth and without it was carried out. The main mechanisms of recombination and the values of the activation energy of the electronic states involved in optical transitions have been established |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329615 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Работа выполнена по проекту ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)», задание 2.2.1. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 430-434.pdf | 407,41 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.