Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329615
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorБородавченко, О. М.
dc.contributor.authorМялик, И. Д.
dc.contributor.authorЗиновьев, В. А.
dc.contributor.authorЗиновьева, А. Ф.
dc.contributor.authorСмагина, Ж. В.
dc.contributor.authorДвуреченский, А. В.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:20Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:20Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 430-434.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329615-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractНа основании температурной зависимости спектров фотолюминесценции в диапазоне ~ 5–300 K проведен сравнительный анализ люминесцентных характеристик наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, созданными в процессе эпитаксиального роста с применением имплантации ионов Ge + и без нее. Установлены основные механизмы рекомбинации и определены значения энергии активации электронных состояний, участвующих в оптических переходах
dc.description.sponsorshipРабота выполнена по проекту ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)», задание 2.2.1.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleИсследование влияния имплантации Ge+ на оптические характеристики светоизлучающих наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
dc.title.alternativeStudy of the influence of Ge+ implantation on optical characteristics of Ge/Si light-emissing nanostructures with Ge quantum dots / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, I. D. Myalik, V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeBased on the temperature dependence of the photoluminescence spectra in the range of ~ 5–300 K a comparative analysis of the luminescent characteristics of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots created using Ge+ ion implantation during epitaxial growth and without it was carried out. The main mechanisms of recombination and the values of the activation energy of the electronic states involved in optical transitions have been established
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
430-434.pdf407,41 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.