Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329615| Заглавие документа: | Исследование влияния имплантации Ge+ на оптические характеристики светоизлучающих наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge |
| Другое заглавие: | Study of the influence of Ge+ implantation on optical characteristics of Ge/Si light-emissing nanostructures with Ge quantum dots / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, I. D. Myalik, V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii |
| Авторы: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Бородавченко, О. М. Мялик, И. Д. Зиновьев, В. А. Зиновьева, А. Ф. Смагина, Ж. В. Двуреченский, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 430-434. |
| Аннотация: | На основании температурной зависимости спектров фотолюминесценции в диапазоне ~ 5–300 K проведен сравнительный анализ люминесцентных характеристик наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, созданными в процессе эпитаксиального роста с применением имплантации ионов Ge + и без нее. Установлены основные механизмы рекомбинации и определены значения энергии активации электронных состояний, участвующих в оптических переходах |
| Аннотация (на другом языке): | Based on the temperature dependence of the photoluminescence spectra in the range of ~ 5–300 K a comparative analysis of the luminescent characteristics of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots created using Ge+ ion implantation during epitaxial growth and without it was carried out. The main mechanisms of recombination and the values of the activation energy of the electronic states involved in optical transitions have been established |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329615 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по проекту ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)», задание 2.2.1. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 430-434.pdf | 407,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.