Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Золотов, Д. А.; Рощин, Б. С.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Сипаков, И. Е.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329591

Title:	Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS
Other Titles:	Domain boundaries and topological defects in layered ferroelectric TGS crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, D. A. Zolotov, B. S. Roschin, V. N. Shut, S. E. Mozzharov, I. F. Kashevich, I. E. Sipakov
Authors:	Толстихина, А. Л. Гайнутдинов, Р. В. Лашкова, А. К. Золотов, Д. А. Рощин, Б. С. Шут, В. Н. Мозжаров, С. Е. Кашевич, И. Ф. Сипаков, И. Е.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 325-330.
Abstract:	Исследовано влияние периодического синусоидального распределения неизоморфной примеси ионов хрома в слоистых кристаллах TGS-TGS+Cr, выращиваемых из раствора, на формирование доменной структуры и характер доменных границ. Выявлена корреляция образования доменных границ в областях кристалла TGS-TGS+Cr при изменении градиента концентрации примеси. Проведено сравнение с аналогичными результатами исследований для высокотемпературных кристаллов ниобата лития с регулярной доменной структурой. Обсуждается механизм критического градиента примеси при формировании доменных стенок с различной топологией
Abstract (in another language):	The influence of the periodic sinusoidal distribution of a non-isomorphic impurity of chromium ions in layered TGS-TGS+Cr crystals grown from solution on the formation of a domain structure and the nature of domain boundaries has been studied. A correlation has been revealed for the formation of domain boundaries in regions of the TGS-TGS+Cr crystal with changes in the gradient of impurity concentration. A comparison is made with similar research results for high-temperature lithium niobate crystals with a regular domain structure. The mechanism of the critical gradient of impurity concentration during the formation of domain walls with different topologies is discussed
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329591
ISBN:	978-985-881-739-8
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
325-330.pdf		519,85 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar