Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329591
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТолстихина, А. Л.
dc.contributor.authorГайнутдинов, Р. В.
dc.contributor.authorЛашкова, А. К.
dc.contributor.authorЗолотов, Д. А.
dc.contributor.authorРощин, Б. С.
dc.contributor.authorШут, В. Н.
dc.contributor.authorМозжаров, С. Е.
dc.contributor.authorКашевич, И. Ф.
dc.contributor.authorСипаков, И. Е.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:15Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:15Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 325-330.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329591-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractИсследовано влияние периодического синусоидального распределения неизоморфной примеси ионов хрома в слоистых кристаллах TGS-TGS+Cr, выращиваемых из раствора, на формирование доменной структуры и характер доменных границ. Выявлена корреляция образования доменных границ в областях кристалла TGS-TGS+Cr при изменении градиента концентрации примеси. Проведено сравнение с аналогичными результатами исследований для высокотемпературных кристаллов ниобата лития с регулярной доменной структурой. Обсуждается механизм критического градиента примеси при формировании доменных стенок с различной топологией
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleДоменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS
dc.title.alternativeDomain boundaries and topological defects in layered ferroelectric TGS crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, D. A. Zolotov, B. S. Roschin, V. N. Shut, S. E. Mozzharov, I. F. Kashevich, I. E. Sipakov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe influence of the periodic sinusoidal distribution of a non-isomorphic impurity of chromium ions in layered TGS-TGS+Cr crystals grown from solution on the formation of a domain structure and the nature of domain boundaries has been studied. A correlation has been revealed for the formation of domain boundaries in regions of the TGS-TGS+Cr crystal with changes in the gradient of impurity concentration. A comparison is made with similar research results for high-temperature lithium niobate crystals with a regular domain structure. The mechanism of the critical gradient of impurity concentration during the formation of domain walls with different topologies is discussed
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
325-330.pdf519,85 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.