Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329591| Заглавие документа: | Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS |
| Другое заглавие: | Domain boundaries and topological defects in layered ferroelectric TGS crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, D. A. Zolotov, B. S. Roschin, V. N. Shut, S. E. Mozzharov, I. F. Kashevich, I. E. Sipakov |
| Авторы: | Толстихина, А. Л. Гайнутдинов, Р. В. Лашкова, А. К. Золотов, Д. А. Рощин, Б. С. Шут, В. Н. Мозжаров, С. Е. Кашевич, И. Ф. Сипаков, И. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 325-330. |
| Аннотация: | Исследовано влияние периодического синусоидального распределения неизоморфной примеси ионов хрома в слоистых кристаллах TGS-TGS+Cr, выращиваемых из раствора, на формирование доменной структуры и характер доменных границ. Выявлена корреляция образования доменных границ в областях кристалла TGS-TGS+Cr при изменении градиента концентрации примеси. Проведено сравнение с аналогичными результатами исследований для высокотемпературных кристаллов ниобата лития с регулярной доменной структурой. Обсуждается механизм критического градиента примеси при формировании доменных стенок с различной топологией |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of the periodic sinusoidal distribution of a non-isomorphic impurity of chromium ions in layered TGS-TGS+Cr crystals grown from solution on the formation of a domain structure and the nature of domain boundaries has been studied. A correlation has been revealed for the formation of domain boundaries in regions of the TGS-TGS+Cr crystal with changes in the gradient of impurity concentration. A comparison is made with similar research results for high-temperature lithium niobate crystals with a regular domain structure. The mechanism of the critical gradient of impurity concentration during the formation of domain walls with different topologies is discussed |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329591 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 325-330.pdf | 519,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.