Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329590| Title: | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия квазиодномерного кристалла TlInTe2 |
| Other Titles: | Photoinduced current transient spectroscopy of quasi-one-dimentional crystal of TlInTe2 / A. P. Odrinsky, S. Goren, H. A. Odrynski, M. -H. Yu Seyidov |
| Authors: | Одринский, А. П. Goren, S. Одринский, Г. А. Seyidov, M.-H. Yu |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 320-324. |
| Abstract: | Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) исследованы процессы делокализации заряда в квазиодномерном кристалле TlInTe2. Этот кристалл имеет большие перспективы для применения в термоэлектронике вследствие его чрезвычайно низкой теплопроводности. Четыре центра локализации заряда с энергией активации термоэмиссии в диапазоне 0.1–0.47 eV впервые наблюдались в этом эксперименте. Их природа предположительно связана с собственными структурными дефектами кристалла, либо характерными технологическими примесями |
| Abstract (in another language): | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) was used to study the processes of charge delocalization in quasi-one-dimensional crystal of TlInTe2. The crystal have a great potential for thermoelectric applications due to its very low thermal conductivity. Four centres of charge localization with activation energies ranging between 0.1–0.47 eV was observed for the first time in this experiment. We attribute this centres to native structural defects or characteristic impurity contaminations |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329590 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 320-324.pdf | 406,6 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.