Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329590| Заглавие документа: | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия квазиодномерного кристалла TlInTe2 |
| Другое заглавие: | Photoinduced current transient spectroscopy of quasi-one-dimentional crystal of TlInTe2 / A. P. Odrinsky, S. Goren, H. A. Odrynski, M. -H. Yu Seyidov |
| Авторы: | Одринский, А. П. Goren, S. Одринский, Г. А. Seyidov, M.-H. Yu |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 320-324. |
| Аннотация: | Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) исследованы процессы делокализации заряда в квазиодномерном кристалле TlInTe2. Этот кристалл имеет большие перспективы для применения в термоэлектронике вследствие его чрезвычайно низкой теплопроводности. Четыре центра локализации заряда с энергией активации термоэмиссии в диапазоне 0.1–0.47 eV впервые наблюдались в этом эксперименте. Их природа предположительно связана с собственными структурными дефектами кристалла, либо характерными технологическими примесями |
| Аннотация (на другом языке): | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) was used to study the processes of charge delocalization in quasi-one-dimensional crystal of TlInTe2. The crystal have a great potential for thermoelectric applications due to its very low thermal conductivity. Four centres of charge localization with activation energies ranging between 0.1–0.47 eV was observed for the first time in this experiment. We attribute this centres to native structural defects or characteristic impurity contaminations |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329590 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 320-324.pdf | 406,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.