Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329590
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОдринский, А. П.
dc.contributor.authorGoren, S.
dc.contributor.authorОдринский, Г. А.
dc.contributor.authorSeyidov, M.-H. Yu
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:15Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:15Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 320-324.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329590-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractМетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) исследованы процессы делокализации заряда в квазиодномерном кристалле TlInTe2. Этот кристалл имеет большие перспективы для применения в термоэлектронике вследствие его чрезвычайно низкой теплопроводности. Четыре центра локализации заряда с энергией активации термоэмиссии в диапазоне 0.1–0.47 eV впервые наблюдались в этом эксперименте. Их природа предположительно связана с собственными структурными дефектами кристалла, либо характерными технологическими примесями
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотоэлектрическая релаксационная спектроскопия квазиодномерного кристалла TlInTe2
dc.title.alternativePhotoinduced current transient spectroscopy of quasi-one-dimentional crystal of TlInTe2 / A. P. Odrinsky, S. Goren, H. A. Odrynski, M. -H. Yu Seyidov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativePhotoinduced current transient spectroscopy (PICTS) was used to study the processes of charge delocalization in quasi-one-dimensional crystal of TlInTe2. The crystal have a great potential for thermoelectric applications due to its very low thermal conductivity. Four centres of charge localization with activation energies ranging between 0.1–0.47 eV was observed for the first time in this experiment. We attribute this centres to native structural defects or characteristic impurity contaminations
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
320-324.pdf406,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.