Исследование особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора

Мищенко, В. Н.; Матусевич, П. А.; Васютич, А. Д.; Сурвилло, И. С.; Рахубо, К. Д.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586

Title:	Исследование особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора
Other Titles:	Investigation of peculiarities of electron-phonon interaction in graphene modified with fluorine atoms / V. N. Mishchanka, P. A. Matusevich, A. D. Vasyutich, I. S. Survilo, K. D. Rahubo
Authors:	Мищенко, В. Н. Матусевич, П. А. Васютич, А. Д. Сурвилло, И. С. Рахубо, К. Д.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 303-306.
Abstract:	Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов исследованы особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене модифицированном атомами фтора. Полученные характеристики и параметры графена модифицированном атомами фтора могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои модифицированного графена и других полупроводниковых материалов
Abstract (in another language):	Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for different frequency ranges. By means of first-principles modeling the features of electron-phonon interaction in graphene modified by fluorine atoms are investigated. The obtained characteristics and parameters of graphene modified by fluorine atoms can serve as a basis for the creation of new heterostructured devices containing layers of modified graphene and other semiconductor materials
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586
ISBN:	978-985-881-739-8
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
303-306.pdf		376,41 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar