Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Матусевич, П. А. | |
| dc.contributor.author | Васютич, А. Д. | |
| dc.contributor.author | Сурвилло, И. С. | |
| dc.contributor.author | Рахубо, К. Д. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:15Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 303-306. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов исследованы особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене модифицированном атомами фтора. Полученные характеристики и параметры графена модифицированном атомами фтора могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои модифицированного графена и других полупроводниковых материалов | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора | |
| dc.title.alternative | Investigation of peculiarities of electron-phonon interaction in graphene modified with fluorine atoms / V. N. Mishchanka, P. A. Matusevich, A. D. Vasyutich, I. S. Survilo, K. D. Rahubo | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for different frequency ranges. By means of first-principles modeling the features of electron-phonon interaction in graphene modified by fluorine atoms are investigated. The obtained characteristics and parameters of graphene modified by fluorine atoms can serve as a basis for the creation of new heterostructured devices containing layers of modified graphene and other semiconductor materials | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 303-306.pdf | 376,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.