Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586| Заглавие документа: | Исследование особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене, модифицированном атомами фтора |
| Другое заглавие: | Investigation of peculiarities of electron-phonon interaction in graphene modified with fluorine atoms / V. N. Mishchanka, P. A. Matusevich, A. D. Vasyutich, I. S. Survilo, K. D. Rahubo |
| Авторы: | Мищенко, В. Н. Матусевич, П. А. Васютич, А. Д. Сурвилло, И. С. Рахубо, К. Д. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 303-306. |
| Аннотация: | Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов исследованы особенностей электронно-фононного взаимодействия в графене модифицированном атомами фтора. Полученные характеристики и параметры графена модифицированном атомами фтора могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои модифицированного графена и других полупроводниковых материалов |
| Аннотация (на другом языке): | Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for different frequency ranges. By means of first-principles modeling the features of electron-phonon interaction in graphene modified by fluorine atoms are investigated. The obtained characteristics and parameters of graphene modified by fluorine atoms can serve as a basis for the creation of new heterostructured devices containing layers of modified graphene and other semiconductor materials |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329586 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 303-306.pdf | 376,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.