Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582| Title: | Электрические свойства и механические напряжения в гетероэпитаксиальных пленках антимонида индия, облученных протонами с энергией 1,5 МэВ |
| Other Titles: | Electrical properties and mechanical stresses in heteroepitaxial films of indium antimonide irradiated with 1.5 MeV protons / A. K. Kuleshov, V. V. Uglov, D. P. Rusalsky |
| Authors: | Кулешов, А. К. Углов, В. В. Русальский, Д. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 288-291. |
| Abstract: | Установлено, что радиационная стойкость к облучению протонами с энергией 1,5 МэВ комплекса электрических свойств, изменения структуры, механических напряжений гетероэпитаксиальной пленки антимонида индия, осажденной на пластины GaAs (100) достигает суммарного флюенса 10 15 H+/см-2. Увеличение суммарного флюенса до 10 16 H+/см-2 приводит к возникновению макронапряжений, значение Холловского потенциала, постоянной Холла увеличивается более чем в 2 раза, концентрация, подвижность носителей заряда уменьшаются |
| Abstract (in another language): | It has been established that the radiation resistance to irradiation with protons with an energy of 1.5 MeV of the complex of electrical properties, changes in structure, mechanical stresses of the heteroepitaxial film of indium antimonide deposited on GaAs (100) wafers reaches a total fluence of 10 15 H+/cm-2. An increase in the total fluence to 10 16 H+/cm-2 leads to the occurrence of macrostresses, the value of the Hall potential, the Hall constant increases more than 2 times, the concentration, mobility of charge carriers decrease |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Работа выполнена в рамках НИР БРФФИ Т23МЭ-003 «Синтез эпитаксиальных пленок антимонида индия для магниточувствительных микросенсоров, стойких к высоким дозам радиационного воздействия» |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 288-291.pdf | 337,34 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.