Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кулешов, А. К. | |
| dc.contributor.author | Углов, В. В. | |
| dc.contributor.author | Русальский, Д. П. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:13Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:13Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 288-291. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Установлено, что радиационная стойкость к облучению протонами с энергией 1,5 МэВ комплекса электрических свойств, изменения структуры, механических напряжений гетероэпитаксиальной пленки антимонида индия, осажденной на пластины GaAs (100) достигает суммарного флюенса 10 15 H+/см-2. Увеличение суммарного флюенса до 10 16 H+/см-2 приводит к возникновению макронапряжений, значение Холловского потенциала, постоянной Холла увеличивается более чем в 2 раза, концентрация, подвижность носителей заряда уменьшаются | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках НИР БРФФИ Т23МЭ-003 «Синтез эпитаксиальных пленок антимонида индия для магниточувствительных микросенсоров, стойких к высоким дозам радиационного воздействия» | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электрические свойства и механические напряжения в гетероэпитаксиальных пленках антимонида индия, облученных протонами с энергией 1,5 МэВ | |
| dc.title.alternative | Electrical properties and mechanical stresses in heteroepitaxial films of indium antimonide irradiated with 1.5 MeV protons / A. K. Kuleshov, V. V. Uglov, D. P. Rusalsky | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It has been established that the radiation resistance to irradiation with protons with an energy of 1.5 MeV of the complex of electrical properties, changes in structure, mechanical stresses of the heteroepitaxial film of indium antimonide deposited on GaAs (100) wafers reaches a total fluence of 10 15 H+/cm-2. An increase in the total fluence to 10 16 H+/cm-2 leads to the occurrence of macrostresses, the value of the Hall potential, the Hall constant increases more than 2 times, the concentration, mobility of charge carriers decrease | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 288-291.pdf | 337,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.