Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582| Заглавие документа: | Электрические свойства и механические напряжения в гетероэпитаксиальных пленках антимонида индия, облученных протонами с энергией 1,5 МэВ |
| Другое заглавие: | Electrical properties and mechanical stresses in heteroepitaxial films of indium antimonide irradiated with 1.5 MeV protons / A. K. Kuleshov, V. V. Uglov, D. P. Rusalsky |
| Авторы: | Кулешов, А. К. Углов, В. В. Русальский, Д. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 288-291. |
| Аннотация: | Установлено, что радиационная стойкость к облучению протонами с энергией 1,5 МэВ комплекса электрических свойств, изменения структуры, механических напряжений гетероэпитаксиальной пленки антимонида индия, осажденной на пластины GaAs (100) достигает суммарного флюенса 10 15 H+/см-2. Увеличение суммарного флюенса до 10 16 H+/см-2 приводит к возникновению макронапряжений, значение Холловского потенциала, постоянной Холла увеличивается более чем в 2 раза, концентрация, подвижность носителей заряда уменьшаются |
| Аннотация (на другом языке): | It has been established that the radiation resistance to irradiation with protons with an energy of 1.5 MeV of the complex of electrical properties, changes in structure, mechanical stresses of the heteroepitaxial film of indium antimonide deposited on GaAs (100) wafers reaches a total fluence of 10 15 H+/cm-2. An increase in the total fluence to 10 16 H+/cm-2 leads to the occurrence of macrostresses, the value of the Hall potential, the Hall constant increases more than 2 times, the concentration, mobility of charge carriers decrease |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329582 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках НИР БРФФИ Т23МЭ-003 «Синтез эпитаксиальных пленок антимонида индия для магниточувствительных микросенсоров, стойких к высоким дозам радиационного воздействия» |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 288-291.pdf | 337,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.