Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564| Title: | Естественно размерный эффект в гетероконтактах |
| Other Titles: | Natural size effect in heterocontacts / A. V. Filimonov, V. B. Bondarenko, E. Yu. Koroleva, V. V. Korablev |
| Authors: | Филимонов, А. В. Бондаренко, В. Б. Королева, Е. Ю. Кораблев, В. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 211-216. |
| Abstract: | В работе исследуются естественно размерный эффект и структура хаотического потенциала в гетероконтактах III-нитридов, обусловленного электростатическим полем заряженных дислокаций. Показана зависимость параметров хаотического потенциала от плотности поверхностных состояний и концентрации дислокаций. Установлено, что при уменьшении плотности поверхностных состояний в гетероконтактах амплитуда хаотического потенциала может достигать величин порядка 100 мэВ при концентрациях заряженных дислокаций 10 10 см−2 и более. При этом характерный масштаб указанных флуктуаций сравним со средним расстоянием между заряженными дислокациями |
| Abstract (in another language): | This work studies a chaotic potential in the heterojunctions of III-nitrides, the chaotic potential caused by the electrostatic field of charged dislocations, under localization conditions of a two-dimensional electron gas in the near-contact region. The amplitude and scale of the chaotic potential in the contact plane have been determined. The chaotic potential parameter dependence on the density of surface states and the concentration of dislocations at the mobility threshold of the two-dimensional electron gas was shown. The chaotic potential amplitude was established to exceed 100 meV in a wide range of changes in the system parameters, in the presence of electronic charge localization effects in the heterojunctions |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Работа выполнена в рамках Государственного задания на проведение фундаментальных исследований (код темы FSEG-2023-0016). |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 211-216.pdf | 344,83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.