Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Филимонов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. Б. | |
| dc.contributor.author | Королева, Е. Ю. | |
| dc.contributor.author | Кораблев, В. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:10Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:10Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 211-216. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | В работе исследуются естественно размерный эффект и структура хаотического потенциала в гетероконтактах III-нитридов, обусловленного электростатическим полем заряженных дислокаций. Показана зависимость параметров хаотического потенциала от плотности поверхностных состояний и концентрации дислокаций. Установлено, что при уменьшении плотности поверхностных состояний в гетероконтактах амплитуда хаотического потенциала может достигать величин порядка 100 мэВ при концентрациях заряженных дислокаций 10 10 см−2 и более. При этом характерный масштаб указанных флуктуаций сравним со средним расстоянием между заряженными дислокациями | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках Государственного задания на проведение фундаментальных исследований (код темы FSEG-2023-0016). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Естественно размерный эффект в гетероконтактах | |
| dc.title.alternative | Natural size effect in heterocontacts / A. V. Filimonov, V. B. Bondarenko, E. Yu. Koroleva, V. V. Korablev | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | This work studies a chaotic potential in the heterojunctions of III-nitrides, the chaotic potential caused by the electrostatic field of charged dislocations, under localization conditions of a two-dimensional electron gas in the near-contact region. The amplitude and scale of the chaotic potential in the contact plane have been determined. The chaotic potential parameter dependence on the density of surface states and the concentration of dislocations at the mobility threshold of the two-dimensional electron gas was shown. The chaotic potential amplitude was established to exceed 100 meV in a wide range of changes in the system parameters, in the presence of electronic charge localization effects in the heterojunctions | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 211-216.pdf | 344,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.