Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564| Заглавие документа: | Естественно размерный эффект в гетероконтактах |
| Другое заглавие: | Natural size effect in heterocontacts / A. V. Filimonov, V. B. Bondarenko, E. Yu. Koroleva, V. V. Korablev |
| Авторы: | Филимонов, А. В. Бондаренко, В. Б. Королева, Е. Ю. Кораблев, В. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 211-216. |
| Аннотация: | В работе исследуются естественно размерный эффект и структура хаотического потенциала в гетероконтактах III-нитридов, обусловленного электростатическим полем заряженных дислокаций. Показана зависимость параметров хаотического потенциала от плотности поверхностных состояний и концентрации дислокаций. Установлено, что при уменьшении плотности поверхностных состояний в гетероконтактах амплитуда хаотического потенциала может достигать величин порядка 100 мэВ при концентрациях заряженных дислокаций 10 10 см−2 и более. При этом характерный масштаб указанных флуктуаций сравним со средним расстоянием между заряженными дислокациями |
| Аннотация (на другом языке): | This work studies a chaotic potential in the heterojunctions of III-nitrides, the chaotic potential caused by the electrostatic field of charged dislocations, under localization conditions of a two-dimensional electron gas in the near-contact region. The amplitude and scale of the chaotic potential in the contact plane have been determined. The chaotic potential parameter dependence on the density of surface states and the concentration of dislocations at the mobility threshold of the two-dimensional electron gas was shown. The chaotic potential amplitude was established to exceed 100 meV in a wide range of changes in the system parameters, in the presence of electronic charge localization effects in the heterojunctions |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329564 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках Государственного задания на проведение фундаментальных исследований (код темы FSEG-2023-0016). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 211-216.pdf | 344,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.