Оптические характеристики легированных бором кремниевых пластин на краю полос собственного поглощения

Стаськов, Н. И.; Петлицкий, А. Н.; Сергейчик, А. А.; Сотская, Л. И.; Чудаков, Е. А.; Лаврентьев, А. К.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329557

Title:	Оптические характеристики легированных бором кремниевых пластин на краю полос собственного поглощения
Other Titles:	Optical characteristics of boron-doped silicon wafers at the edge of inner absorption bands / M. I. Staskov, A. N. Petlitsky, A. A. Sergeychik, L. I. Sotskaya, E. A. Chudakov, A. K. Lavrentyev
Authors:	Стаськов, Н. И. Петлицкий, А. Н. Сергейчик, А. А. Сотская, Л. И. Чудаков, Е. А. Лаврентьев, А. К.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 180-184.
Abstract:	Аналитически рассчитаны спектры показателей преломления и поглощения в области края полос собственного поглощения и двумя независимыми методами оценена ширина запрещенной зоны плоскопараллельной пластины КДБ-12 с ультратонкими поверхностными слоями. В этой спектральной области наблюдается отличие показателей преломления чистого кремния и кремния, легированного бором. Уменьшение величины запрещенной зоны кремния при легировании бором обусловлено расположением акцепторных уровней примеси в запрещенной зоне кремния около потолка валентной зоны. Уменьшение энергии Урбаха при легировании кремния бором может быть вызвано дефектами кристаллической решетки кремния при внедрении бора
Abstract (in another language):	The spectra of refractive indices and absorption in the region of the edge of the intrinsic absorption bands were calculated analytically and the width of the forbidden zone of a plane-parallel plate KDB-12 with ultrathin surface layers was estimated by two independent methods. In this spectral region, a difference in the refractive indices of pure silicon and silicon doped with boron is observed. The decrease in the value of the forbidden zone of silicon when doped with boron is due to the location of the acceptor levels of the impurity in the forbidden zone of silicon near the top of the valence zone. The decrease in the Urbach energy when doping silicon with boron can be caused by defects in the crystal lattice of silicon when introducing boron
Description:	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329557
ISBN:	978-985-881-739-8
Sponsorship:	Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций».
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
180-184.pdf		352,56 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar