Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329557| Заглавие документа: | Оптические характеристики легированных бором кремниевых пластин на краю полос собственного поглощения |
| Другое заглавие: | Optical characteristics of boron-doped silicon wafers at the edge of inner absorption bands / M. I. Staskov, A. N. Petlitsky, A. A. Sergeychik, L. I. Sotskaya, E. A. Chudakov, A. K. Lavrentyev |
| Авторы: | Стаськов, Н. И. Петлицкий, А. Н. Сергейчик, А. А. Сотская, Л. И. Чудаков, Е. А. Лаврентьев, А. К. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 180-184. |
| Аннотация: | Аналитически рассчитаны спектры показателей преломления и поглощения в области края полос собственного поглощения и двумя независимыми методами оценена ширина запрещенной зоны плоскопараллельной пластины КДБ-12 с ультратонкими поверхностными слоями. В этой спектральной области наблюдается отличие показателей преломления чистого кремния и кремния, легированного бором. Уменьшение величины запрещенной зоны кремния при легировании бором обусловлено расположением акцепторных уровней примеси в запрещенной зоне кремния около потолка валентной зоны. Уменьшение энергии Урбаха при легировании кремния бором может быть вызвано дефектами кристаллической решетки кремния при внедрении бора |
| Аннотация (на другом языке): | The spectra of refractive indices and absorption in the region of the edge of the intrinsic absorption bands were calculated analytically and the width of the forbidden zone of a plane-parallel plate KDB-12 with ultrathin surface layers was estimated by two independent methods. In this spectral region, a difference in the refractive indices of pure silicon and silicon doped with boron is observed. The decrease in the value of the forbidden zone of silicon when doped with boron is due to the location of the acceptor levels of the impurity in the forbidden zone of silicon near the top of the valence zone. The decrease in the Urbach energy when doping silicon with boron can be caused by defects in the crystal lattice of silicon when introducing boron |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329557 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 180-184.pdf | 352,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.