Радиационно-индуцированные процессы в облученных электронами пленках негативного фенолформальдегидного фоторезиста на кремнии

Abstract

Установлено, что радиационно-индуцированные процессы в пленках негативного фоторезиста NFR 016D при дозах до 2*1015 см-2 протекают в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки. После облучения в спектрах нарушенного полного внутреннего отражения фоторезиста исчезают полосы поглощения с максимумами при 1717 (валентные колебания C=O связей), 1068 и 1009 см-1

(колебания C-O-C связи в растворителе метил-3-метоксипропилате). При дозах облучения свыше 1*1016 см-2 наблюдались существенные изменения в интенсивности полос, связанных с основным компонентом фоторезиста (фенолформальдегидной смолой). Заметная трансформация спектра происходит в области 1550–1700 см-1, в которой наблюдаются валентные колебания С=О связей. При дозах облучения свыше 2*1016 см-2 снижаются интенсивности полос, обусловленных валентными колебаниями СН2 и СН групп (полосы с максимумами при 2925 и 3012 см-1, соответственно). Экспериментальные результаты указывают на изменение состава заместителей у углеродного кольца и образование сопряженных двойных С=О связей при облучении фоторезистивной пленки дозами электронов свыше 2*1016 см-2.