Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/324340
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАбрамов, С. А.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorКолос, В. В.-
dc.contributor.authorЗубова, О. А.-
dc.contributor.authorЧерный, В. В.-
dc.date.accessioned2025-01-13T10:41:47Z-
dc.date.available2025-01-13T10:41:47Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationПриборостроение – 2024 = Instrumentation Еngineering – 2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26–29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / М-во образования Республики Беларусь [и др. ; редкол.: А. И. Свистун (пред.) и др.]. - Минск : БНТУ, 2024. - С. 108-110ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/324340-
dc.description.abstractМетодом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 толщиной 5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивными являются полосы валентных колебаний ароматического кольца ( ~1500 см–1 ), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный максимум ~1595 и 1610 см–1 ), широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050–1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Показано, что полоса колебаний CH3 групп при 2945 см–1 обусловлена растворителем. Различия в спектрах диффузного отражения фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 связаны с наличием в пленках остаточного растворителя.ru
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках задания 2.16 Государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)».ru
dc.language.isoruru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleСпектры поглощения фоторезистов для обратной литографииru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeFilms of AZ nLOF 2020 and AZ nLOF 2070 negative photoresists with a thickness of 5.9 microns deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation were studied by the method of diffuse reflection IR-Fourier spectroscopy. The most intense are the bands of valence vibrations of the aromatic ring (~1500 cm–1 ), pulsation vibrations of the carbon skeleton of the aromatic ring (double maximum ~1595 and 1610 cm–1 ), a wide structured band with several maxima in the range of 1050–1270 cm–1 and a band associated with the CH2 bridge. It is shown that the oscillation band of the CH3 groups at 2945 cm–1 is due to a solvent. Differences in the diffuse reflection spectra of AZ nLOF2020 and AZ nLOF2070 photoresists are associated with the presence of residual solvent in the films.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Доклады конф. БНТУ 2024 108-110.pdf364,44 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.