Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/324179| Заглавие документа: | Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510 |
| Авторы: | Абрамов, С. А. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Колос, В. В. Зубова, О. А. Черный, В. В. Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2024 |
| Библиографическое описание источника: | Приборостроение – 2024 = Instrumentation Еngineering – 2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26–29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / М-во образования Республики Беларусь [и др. ; редкол.: А. И. Свистун (пред.) и др.]. - Минск : БНТУ, 2024. - С. 106-108 |
| Аннотация: | Методом индентирования исследованы пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. После дополнительной сушки и ионного травления поведение пленок AZ nLOF 5510 при индентировании схоже с поведением твердых непластичных материалов. Такая обработка приводила также увеличению микротвердости структур фоторезист/кремний, что обусловлено сшиванием молекул фоторезиста, приводящим к утрате упругопластических свойств пленки. Показано, что образование при ионном травлении на поверхности фоторезистивной пленки тонкого углеродоподобного слоя препятствует растяжению пленки после снятия нагрузки с индентора. |
| Аннотация (на другом языке): | Films of AZ nLOF 5510 negative photoresist with a thickness of 0.99 microns deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation were studied by the indentation method. AZ nLOF 5510 films be-have like elastoplastic materials in which tensile elastic stresses are present. After additional drying and ion etching, the behavior of AZ nLOF 5510 films during indentation is similar to that of solid non-plastic materials. Such treatment also led to an increase in the microhardness of the photore-sist/silicon structures, which is due to the crosslinking of photoresist molecules. It lead to a loss of the elastic-plastic properties of the film. It is shown that the formation of a thin carbon-like layer on the sur-face of a photoresistive film during ion etching pre-vents the film from stretching after the load is re-moved from the indenter. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/324179 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках задания 2.16 Государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)» |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Доклады конф.БНТУ 2024 106-108.pdf | 363,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.