Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306921Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Ермакова, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Ломако, В. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-12-19T15:53:38Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-19T15:53:38Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния: матер. 7-й Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 18–19 мая 2023 г. / НИИПФП им. А.Н. Севченко БГУ; редкол.: Ю.И. Дудчик (гл. ред.) [и др.]. – Минск, 2023. – С. 272–274 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306921 | - |
| dc.description.abstract | Исследовались структуры Al/Si3N4/n-Si, облученные ионами гелия флюенсом 10^11 см^−2 (кинетическая энергия иона 5 МэВ). Регистрировались спектры DLTS, т.е. зависимости емкости от температуры, а также изотермические вольт-фарадные характеристики. Установлено, что варьирование электрического напряжения заполнения и напряжения эмиссии позволяет независимо регистрировать сигналы DLTS как от центров, локализованных на границе раздела Si3N4/n-Si, так и от радиационных дефектов в глубине кремния. Показано, что облучение ионами гелия приводит как к генерации дивакансий и комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор, так и к увеличению концентрации дефектов на границе раздела. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии». | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : НИИПФП им. А.Н. Севченко БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| NIIPFP272-274.pdf | 1,36 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.