Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306193| Заглавие документа: | Исследование границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа |
| Другое заглавие: | Study of the Aluminum-Polysilicon Interface After Impact of Long-Term and Rapid Thermal Annealing by Energy Dispersive X-ray Microanalysis Method |
| Авторы: | Пилипенко, В.А. Ковальчук, Н.С. Жигулин, Д.В. Шестовский, Д.В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение |
| Дата публикации: | ноя-2023 |
| Издатель: | Белорусский национальный технический университет |
| Библиографическое описание источника: | Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15–17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 119–120. |
| Аннотация: | Приведены результаты исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Установлено, что при термическом отжиге (450°C, 20 мин) поликремний полностью растворяется в алюминии с последующей его сегрегацией в виде отдельных агломератов в пленке алюминия. При быстром термическом отжиге (450°C, 7 с) такого явления не обнаружено. Таким образом, замена традиционно используемого термического отжига на быстрый термический отжиг наиболее целесообразна, поскольку позволяет существенно уменьшить растворение поликремния в алюминии, и избежать разрушение омических контактов в процессе изготовления интегральных микросхем. |
| Аннотация (на другом языке): | The results of studying the aluminum-polysilicon interface after exposure to long-term and rapid thermal annealing using energy dispersive X-ray microanalysis are presented. It has been established that during thermal annealing (450°C, 20 min), polysilicon is completely dissolved in aluminum, followed by its segregation in the form of separate agglomerates in aluminum. During rapid thermal annealing (450°C, 7 s), such a phenomenon was not detected. Thus, replacing thermal annealing with rapid thermal annealing is most appropriate, since it allows reducing the dissolution of polysilicon in aluminum and avoiding the destruction of ohmic contacts during the manufacture of integrated circuits. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306193 |
| ISBN: | 978-985-583-996-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Приборостр_2023_Пилипенко_Ковальчук_Жигулин_Шестовский.pdf | 437,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.