Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305109Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-11-23T14:27:02Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-23T14:27:02Z | - |
| dc.date.issued | 2023-02-24 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. — 2023. — № 1. — C. 29—37. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305109 | - |
| dc.description.abstract | Методом индентирования изучены прочностные свойства облученных электронами с энергией 5 МэВ флюенсом 3×10^16 см^-2 пленок диазохинон-новолачных фоторезистов ФП9120, SPR 700 и S1813 G2 SP15 на кремнии. Отпечатки микроиндентора в пленках диазахинон-новолачных фоторезистов имеют бочковидную форму, что свидетельствует о наличии растягивающих напряжений, формирующихся при сушке пленки. Вокруг отпечатков индентора наблюдалась картина разрушений с радиальными и боковыми трещинами в виде «бабочек». Установлено, что при длительном хранении и облучении пленок диазохинон-новолачных фоторезистов имеет место увеличение значений истинной микротвердости пленок, которое обусловлено сшиванием макромолекул новолака в объеме полимера. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Индентирование облученных электронами пленок диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии | ru |
| dc.title.alternative | Indentation of electron-irrauded films of diazoquinone novolac photoresists on silicone | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.52928/2070-1624-2023-40-1-29-37 | - |
| dc.description.alternative | The strength properties of FP9120, SPR 700 and S1813 G2 SP15 diazoquinone novolac photoresist films on silicon irradiated by 5 MeV electrons with a fluence of 3×10^16 cm^-2 were studied by indentation. Misprints of the microindenter in films of diazaquinone novolac photoresist are barrel-shaped, which indicates the presence of tensile stresses that form during film drying. A destruction zone with radial and lateral cracks was observed around the indenter prints, forming a pattern in the form of "butterflies". It has been established that during long-term storage and irradiation of films of diazoquinone novolac photoresists, an increase in the values of the true microhardness of the films takes place, which is due to the cross-linking of novolac macromolecules in the bulk of the polymer. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ПГУ_4 индентФР облуч эл.pdf | 790,8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.