Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257359| Title: | Электрофизические параметры графена на кремнии при облучении солнечным светом |
| Other Titles: | Electrophysical parameters of graphene on silicon under sunlight irradiation / A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk |
| Authors: | Трафименко, А. Г. Данилюк, А. Л. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 411-416. |
| Abstract: | Представлены результаты моделирования электрофизических параметров графена на кремнии n-типа при облучении солнечным светом: электрохимический потенциал, концентрация дырок, квантовая емкость. Показано, что электрохимический потенциал дырок в графене составляет 0.3–0.4 эВ, концентрация дырок в графене возрастает до 10 13 см −2 , а его квантовая емкость составляет 9–14 мкФ/cм2 . Получены закономерности влияния работы выхода графена и концентрации доноров в кремнии на электрофизические параметры графена |
| Abstract (in another language): | The results of simulation of the electrophysical parameters of graphene (electrochemical potential, holes concentration, quantum capacity) on n-type silicon under sunlight irradiation are presented. The electrochemical potential of holes in graphene is shown to be 0.3–0.4 eV, the holes concentration increases up to 10 13 cm −2 , and the quantum capacity of graphene is 9–14 μF/cm2 . The regularities of the influence of the work function of graphene and the donor concentration in silicon on the electrophysical parameters of grapheme have been established |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257359 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 411-416.pdf | 776,47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.