Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257359
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТрафименко, А. Г.
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:27Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:27Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 411-416.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257359-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования электрофизических параметров графена на кремнии n-типа при облучении солнечным светом: электрохимический потенциал, концентрация дырок, квантовая емкость. Показано, что электрохимический потенциал дырок в графене составляет 0.3–0.4 эВ, концентрация дырок в графене возрастает до 10 13 см −2 , а его квантовая емкость составляет 9–14 мкФ/cм2 . Получены закономерности влияния работы выхода графена и концентрации доноров в кремнии на электрофизические параметры графена
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЭлектрофизические параметры графена на кремнии при облучении солнечным светом
dc.title.alternativeElectrophysical parameters of graphene on silicon under sunlight irradiation / A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of simulation of the electrophysical parameters of graphene (electrochemical potential, holes concentration, quantum capacity) on n-type silicon under sunlight irradiation are presented. The electrochemical potential of holes in graphene is shown to be 0.3–0.4 eV, the holes concentration increases up to 10 13 cm −2 , and the quantum capacity of graphene is 9–14 μF/cm2 . The regularities of the influence of the work function of graphene and the donor concentration in silicon on the electrophysical parameters of grapheme have been established
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
411-416.pdf776,47 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.