Свойства полупроводниковых структур на основе оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора

Казаркин, Б. А.; Степанов, А. А.; Смирнов, А. Г.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257344

Title:	Свойства полупроводниковых структур на основе оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора
Other Titles:	The properties of semiconductor structures indium-gallium-zinc oxide obtained from solution / B. A. Kazarkin, A. A. Stepanov, A. G. Smirnov
Authors:	Казаркин, Б. А. Степанов, А. А. Смирнов, А. Г.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 352-356.
Abstract:	Представлены результаты исследования влияния атмосферы при двухстадийном отжиге тонкопленочных транзисторных структур на основе полупроводникового соединений оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора. Показано, что отжиг в атмосфере азота позволяет увеличить токи сток-затворной характеристики транзистора более чем в 6 раз
Abstract (in another language):	The influence of the atmosphere during two-stage annealing of thin-film transistor structures based on a semiconductor compound based on indium-gallium-zinc oxide obtained from a solution has been studied. It is shown that the use of nitrogen as the atmosphere in the first and second stages of annealing increases the currents of the drain-gate characteristic of the transistor by more than 6 times
Description:	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257344
ISBN:	978-985-881-073-3
Appears in Collections:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
352-356.pdf		897,42 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar