Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257344
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКазаркин, Б. А.
dc.contributor.authorСтепанов, А. А.
dc.contributor.authorСмирнов, А. Г.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:24Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:24Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 352-356.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257344-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования влияния атмосферы при двухстадийном отжиге тонкопленочных транзисторных структур на основе полупроводникового соединений оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора. Показано, что отжиг в атмосфере азота позволяет увеличить токи сток-затворной характеристики транзистора более чем в 6 раз
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleСвойства полупроводниковых структур на основе оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора
dc.title.alternativeThe properties of semiconductor structures indium-gallium-zinc oxide obtained from solution / B. A. Kazarkin, A. A. Stepanov, A. G. Smirnov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe influence of the atmosphere during two-stage annealing of thin-film transistor structures based on a semiconductor compound based on indium-gallium-zinc oxide obtained from a solution has been studied. It is shown that the use of nitrogen as the atmosphere in the first and second stages of annealing increases the currents of the drain-gate characteristic of the transistor by more than 6 times
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
352-356.pdf897,42 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.