Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257344| Заглавие документа: | Свойства полупроводниковых структур на основе оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора |
| Другое заглавие: | The properties of semiconductor structures indium-gallium-zinc oxide obtained from solution / B. A. Kazarkin, A. A. Stepanov, A. G. Smirnov |
| Авторы: | Казаркин, Б. А. Степанов, А. А. Смирнов, А. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 352-356. |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования влияния атмосферы при двухстадийном отжиге тонкопленочных транзисторных структур на основе полупроводникового соединений оксида индия-галлия-цинка, полученных из раствора. Показано, что отжиг в атмосфере азота позволяет увеличить токи сток-затворной характеристики транзистора более чем в 6 раз |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of the atmosphere during two-stage annealing of thin-film transistor structures based on a semiconductor compound based on indium-gallium-zinc oxide obtained from a solution has been studied. It is shown that the use of nitrogen as the atmosphere in the first and second stages of annealing increases the currents of the drain-gate characteristic of the transistor by more than 6 times |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257344 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 352-356.pdf | 897,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.