Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257320| Заглавие документа: | Моделирование приборных структур на графене с применением системы NANODEV |
| Другое заглавие: | Simulation of device structures based on graphene using NANODEV system / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova |
| Авторы: | Абрамов, И. И. Лабунов, В. А. Коломейцева, Н. В. Романова, И. А. Щербакова, И. Ю. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 256-260. |
| Аннотация: | В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и многобарьерных резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена, включенные в систему моделирования наноэлектронных приборов и устройств NANODEV. Проведены расчеты характеристик указанных приборных структур. Получено хорошее согласование с экспериментальными данными для выходных характеристик двухзатворного ПГТ. Исследовано влияние ширин барьеров и квантовых ям на вольт-амперные характеристики (ВАХ) четырехбарьерных РТД на основе графена на подложках гексагонального нитрида бора (h-BN) и диоксида кремния (SiO2) |
| Аннотация (на другом языке): | The paper describes the combined models of field-effect graphene transistors (GFETs) and multi-barrier resonant tunneling diodes (RTDs) based on graphene, which are included in the NANODEV nanoelectronic devices simulation system. A good agreement with experimental data have been obtained for output IV-characteristics of two gate grapheme field-effect transistor. The influence of the widths of barriers and quantum wells on the IV-characteristics of four-barrier RTDs based on graphene on substrates of hexagonal boron nitride (h-BN) and silicon dioxide (SiO2) is studied |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257320 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы" ("Нанотех") |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 256-260.pdf | 476,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.