Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257320Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Романова, И. А. | |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:19Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:19Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 256-260. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257320 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В докладе описаны комбинированные модели полевых графеновых транзисторов (ПГТ) и многобарьерных резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена, включенные в систему моделирования наноэлектронных приборов и устройств NANODEV. Проведены расчеты характеристик указанных приборных структур. Получено хорошее согласование с экспериментальными данными для выходных характеристик двухзатворного ПГТ. Исследовано влияние ширин барьеров и квантовых ям на вольт-амперные характеристики (ВАХ) четырехбарьерных РТД на основе графена на подложках гексагонального нитрида бора (h-BN) и диоксида кремния (SiO2) | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция" и "Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы" ("Нанотех") | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование приборных структур на графене с применением системы NANODEV | |
| dc.title.alternative | Simulation of device structures based on graphene using NANODEV system / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kolomejtseva, I. A. Romanova, I. Y. Shcherbakova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The paper describes the combined models of field-effect graphene transistors (GFETs) and multi-barrier resonant tunneling diodes (RTDs) based on graphene, which are included in the NANODEV nanoelectronic devices simulation system. A good agreement with experimental data have been obtained for output IV-characteristics of two gate grapheme field-effect transistor. The influence of the widths of barriers and quantum wells on the IV-characteristics of four-barrier RTDs based on graphene on substrates of hexagonal boron nitride (h-BN) and silicon dioxide (SiO2) is studied | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 256-260.pdf | 476,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.