Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257304| Title: | Экспресс-методика оценки стойкости сверхбольших интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения |
| Other Titles: | Methodolgy for rapid radiation-hardness assurance testing for ultra-large scale integrated circuits / S. V. Redko, V. A. Petrovich, V. P. Bondarenko |
| Authors: | Редько, С. В. Петрович, В. А. Бондаренко, В. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 206-209. |
| Abstract: | Традиционные методы оценки стойкости интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения путем проведения имитирующих и моделирующих испытаний обладают недостаточной оперативностью при обеспечении требуемого уровня охвата тестовых сценариев отказов в случае современных сложных цифровых интегральных схем большой и сверхбольшой степени интеграции. В данной работе рассматриваются основные принципы выработки новых экспресс-методик оценки устойчивости интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения на основе широкого применения систем численного моделирования и компьютерного проектирования |
| Abstract (in another language): | Common methods for radiation-hardness assurance testing for integrated circuits to the single-event effects by conducting imitation and simulation tests have insufficient efficiency while meeting the required level of test coverage for modern complex digital integrated circuits of large and ultra-large scale of integration. This paper discusses the strategy of developing a new rapid testing methodology based on the widespread use of numerical simulation and computer aided design systems for assessing radiation-hardness assurance of integrated circuits |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257304 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Sponsorship: | Работа выполнена в рамках задания 3.1.03 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», подпрограммы «Микро- и наноэлектроника» |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 206-209.pdf | 421,27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.