Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257304
Заглавие документа: Экспресс-методика оценки стойкости сверхбольших интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения
Другое заглавие: Methodolgy for rapid radiation-hardness assurance testing for ultra-large scale integrated circuits / S. V. Redko, V. A. Petrovich, V. P. Bondarenko
Авторы: Редько, С. В.
Петрович, В. А.
Бондаренко, В. П.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 206-209.
Аннотация: Традиционные методы оценки стойкости интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения путем проведения имитирующих и моделирующих испытаний обладают недостаточной оперативностью при обеспечении требуемого уровня охвата тестовых сценариев отказов в случае современных сложных цифровых интегральных схем большой и сверхбольшой степени интеграции. В данной работе рассматриваются основные принципы выработки новых экспресс-методик оценки устойчивости интегральных схем к воздействию импульсного ионизирующего излучения на основе широкого применения систем численного моделирования и компьютерного проектирования
Аннотация (на другом языке): Common methods for radiation-hardness assurance testing for integrated circuits to the single-event effects by conducting imitation and simulation tests have insufficient efficiency while meeting the required level of test coverage for modern complex digital integrated circuits of large and ultra-large scale of integration. This paper discusses the strategy of developing a new rapid testing methodology based on the widespread use of numerical simulation and computer aided design systems for assessing radiation-hardness assurance of integrated circuits
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257304
ISBN: 978-985-881-073-3
Финансовая поддержка: Работа выполнена в рамках задания 3.1.03 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», подпрограммы «Микро- и наноэлектроника»
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
206-209.pdf421,27 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.