Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257267| Title: | Исследование влияния приповерхностного дефектного слоя сапфировых подложек на устройства микроэлектроники |
| Other Titles: | Study of sapphire substrate devective layer influence on microelectronic devices / Yu. V. Klunnikova, S. P. Malyukov, A. V. Filimonov |
| Authors: | Клунникова, Ю. В. Малюков, С. П. Филимонов, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 55-59. |
| Abstract: | Изменения структуры и свойств поверхностных слоев сапфировых подложек оказывают существенное влияние на эксплуатацию микроэлектронных устройств на их основе. Проведено исследование появления приповерхностных дефектов в сапфировых подложках, которое явилось основой для оптимизации процессов обработки кристаллов сапфира, а также для формирования рекомендаций по определению свойств приповерхностных слоев сапфира, усовершенствованию качества кристалла |
| Abstract (in another language): | The changes in the structure and properties of the sapphire substrates surface layers have a significant effect on the microelectronic devices. The study of the surface defects in sapphire substrates was carried out. This study is the basis for the sapphire crystals processing optimization and the recommendations formation for sapphire surface layer properties definition and improvement of crystal quality |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257267 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.