Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы

Abstract

Измерением спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные методом центрифугирования на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом см) с ориентацией (111). Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки при увеличении дозы имплантации наблюдается рост коэффициента отражения.