Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241603| Заглавие документа: | Распределение по глубине характеристик рамановского рассеяния в облученных ионами ксенона алмазах |
| Другое заглавие: | Depth Prifiles of Raman Scattering Lines in Diamonds Irradiated with Xenon Ions |
| Авторы: | Казючиц, Н. М. Королик, О. В. Русецкий, М. С. Казючиц, В. Н. Кирилкин, Н. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 147—149. |
| Аннотация: | Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и распределение радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки доминирующая линия КРС 1332 см^-1 уменьшилась по интенсивности, асимметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линий КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий, соответствующая аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показаны распределения напряжений за имплантированным слоем. |
| Аннотация (на другом языке): | Accumulation of radiation damage and their depth profiles in diamonds implanted with 167 MeV xenon ions were studied using Raman scattering. Due to the radiation damage, dominating Raman line (1332 cm^-1) decreased, asymmetrically broadened and shifted to lower frequencies. Raman lines associated with intrinsic defects demonstrate broadening and low-frequency shift with irradiation fluence increase. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions was determined. The stresses propagating behind the implanted layer to the sample depth were detected. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241603 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Depth Prifiles of Raman Scattering Lines in Diamonds Irradiated with Xe .pdf | 414,64 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.