Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/241603
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКазючиц, Н. М.-
dc.contributor.authorКоролик, О. В.-
dc.contributor.authorРусецкий, М. С.-
dc.contributor.authorКазючиц, В. Н.-
dc.contributor.authorКирилкин, Н. С.-
dc.date.accessioned2020-04-01T13:53:00Z-
dc.date.available2020-04-01T13:53:00Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 147—149.ru
dc.identifier.issn2663-9939-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/241603-
dc.description.abstractМетодом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и распределение радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки доминирующая линия КРС 1332 см^-1 уменьшилась по интенсивности, асимметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линий КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий, соответствующая аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показаны распределения напряжений за имплантированным слоем.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРаспределение по глубине характеристик рамановского рассеяния в облученных ионами ксенона алмазахru
dc.title.alternativeDepth Prifiles of Raman Scattering Lines in Diamonds Irradiated with Xenon Ionsru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeAccumulation of radiation damage and their depth profiles in diamonds implanted with 167 MeV xenon ions were studied using Raman scattering. Due to the radiation damage, dominating Raman line (1332 cm^-1) decreased, asymmetrically broadened and shifted to lower frequencies. Raman lines associated with intrinsic defects demonstrate broadening and low-frequency shift with irradiation fluence increase. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions was determined. The stresses propagating behind the implanted layer to the sample depth were detected.ru
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Depth Prifiles of Raman Scattering Lines in Diamonds Irradiated with Xe .pdf414,64 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.