Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/236956
Заглавие документа: A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductors
Авторы: Poklonski, N. A.
Vyrko, S. A.
Yatskevich, V. I.
Kocherzhenko, A. A.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2003
Издатель: American Institute of Physics
Библиографическое описание источника: Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 93, № 12. – P. 9749–9752
Аннотация: In the proposed model of mobility, the time of electron–ion interaction equals the time taken by the conduction electron to pass a spherical region, corresponding to one impurity ion in crystal, and the minimum scattering angle is determined after Conwell–Weisskopf. We consider the acts of electron scattering on ions as independent and incompatible events. It is shown in the approximation of quasimomentum relaxation time, that for nondegenerate semiconductors, the mobility μ_i, limited by the elastic scattering by impurity ions with the concentration N_i, is proportional to T/N_i^2/3; the Hall factor equals 1.4. The calculated dependences of the mobility of the majority charge carriers upon their concentration for different temperatures T agree well with known experimental data. It is shown, that the Brooks–Herring formula μ_BH ∝ T^3/2/N_i gives overestimated values of mobility. Comparison of the calculations of mobility in degenerate semiconductors with experimental data also yields μ_i < μ_BH.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/236956
ISSN: 0021-8979
DOI документа: 10.1063/1.1573735
Scopus идентификатор документа: 0038819969
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
JAPp9749-9752.pdf65,26 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.