Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236658
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
dc.contributor.author | Садовский, П. К. | - |
dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
dc.date.accessioned | 2019-12-23T15:57:35Z | - |
dc.date.available | 2019-12-23T15:57:35Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Физика твердого тела.— 2018.— Т. 60, № 1.— С. 22—24. | ru |
dc.identifier.issn | 0367-3294 (Print) | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236658 | - |
dc.description.abstract | Исследовано взаимодействие атомов Sb с микропорами геттерного слоя в кремнии. Геттерный слой создавался путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок. Обнаружено, что атомы сурьмы, расположенные в окрестности микропор, захватываются на микропоры в процессе геттерирующего отжига и теряют электрическую активность. Энергия активации процесса захвата сурьмы на поры ниже энергии активации диффузии сурьмы в кремнии. Это объясняется влиянием на процесс диффузии полей упругих деформаций вокруг микропустот. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнии | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.21883/FTT.2018.01.45283.123 | - |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Взаимодействие атомов Sb с микропорами в Si.pdf | 224,7 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.