Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/202694
Заглавие документа: | Уточнение критерия сильной локализации электронов на поверхности полупроводника |
Другое заглавие: | Refinement of the criterion for strong localization of electrons on a semiconductor surface / T. T. Muratov |
Авторы: | Муратов, Т. Т. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 2. - С. 117-124 |
Аннотация: | Анализируется возможность значительной локализации двумерного электронного газа на поверхности сильнолегированного полупроводника. Получена аналитическая формула для среднего сечения низкоэнергетического рассеяния приповерхностных электронов с учетом функции распределения Ферми – Дирака. Отмечается существенная особенность точки EF = 0 в квазидвумерных электронных системах, в отличие от их трехмерных аналогов. На основе правила Иоффе – Регеля и полученной формулы для среднего сечения рассеяния найден более точный, реалистичный критерий сильной локализации, чем тот, который был определен в других цитируемых работах. |
Аннотация (на другом языке): | Possibility of strong localization of the two-dimensional electron gas on the surface of the highly doped semiconductor is analyzed. Analytical formula for cross-section of low-energy scattering of surface electrons with take into account Fermi – Dirac’s distribution was obtained. Is noted about substantial feature of the point EF = 0 in quasi two-dimensional electrons systems than in its three-dimensional analogs. On the basis of Ioffe – Regel’s rule and formula obtained for average cross-section of scattering more precise realistic criterion of strong localization was obtained than it which has been obtained in other quoted articles. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/202694 |
ISSN: | 2520-2243 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2018, №2 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
117-124.pdf | 1,82 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.